销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | BSC079N10NS G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥9.311+:¥17.72 10+:¥14.25 100+:¥11.43 500+:¥11.43 1000+:¥10.6 2500+:¥9.73 5000+:¥9.64 10000+:¥9.3501 25000+:¥ |
 Digi-Key 得捷电子 | BSC079N10NS G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥9.31 |
 Mouser 贸泽电子 | BSC079N10NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2 | 1:¥18.5998 10:¥15.8313 100:¥12.5995 500:¥11.0627 1,000:¥9.1417 5,000:¥9.1417
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 Mouser 贸泽电子 | BSC079N10NS G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 | 5000+:¥9.311+:¥17.72 10+:¥14.25 100+:¥11.43 500+:¥11.43 1000+:¥10.6 2500+:¥9.73 5000+:¥9.64 10000+:¥9.3501 25000+:¥9.57 |
 立创商城 | BSC079N10NS G | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.4A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 110uA 漏源导通电阻:7.9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):156W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥17.42 200+:¥6.74 500+:¥6.51 1000+:¥6.39
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