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BSC079N10NS G /MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC079N10NS G的规格信息
BSC079N10NS G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:13.4 A

Rds On-漏源导通电阻:7.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:156 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.27 mm

长度:5.9 mm

系列:OptiMOS 2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5.15 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:11 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:40 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:24 ns

零件号别名:BSC079N10NSGATMA1 BSC79N1NSGXT SP000379590

供应商BSC079N10NS G
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSC079N10NS Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司BSC079N10NS G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
芯莱德电子(香港)有限公司BSC079N10NS G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市高捷芯城科技有限公司BSC079N10NS G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
木易Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司BSC079N10NS G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈玲玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市坤融电子有限公司BSC079N10NS G航都大厦10I0755-23990975
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集好芯城BSC079N10NS G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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19854773352
罗先生Email:250652363@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司BSC079N10NS G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
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胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市域立航科技有限公司BSC079N10NS G深圳市福田区华强北路1002号赛格广场41楼4108A (本公司可开13%增值税票)0755-82576356,83233239
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BSC079N10NS G连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.4A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 110uA 漏源导通电阻:7.9mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):156W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO661.60 Kbytes共10页BSC079N10NS G的PDF下载地址
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BSC079N10NS GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品5000+:¥9.311+:¥17.72
10+:¥14.25
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BSC079N10NS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 21:¥18.5998
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100:¥12.5995
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1000+:¥6.39